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电子元器件详细资料 » IC[25693] » NE85633-T1B-R25-A
型号:NE85633-T1B-R25-A类别:RF 晶体管 (BJT)制造商:CEL
封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3描述:TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-23

详细参数

类别RF 晶体管 (BJT)
描述TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-23
系列-
制造商CEL
晶体管类型NPN
电压_集电极发射极击穿111最大22212V
频率_转换7GHz
噪声系数111dB典型值0a0频率2221.4dB ~ 2dB @ 1GHz
增益9dB
功率_最大200mW
在某IceeeVce时的最小直流电流增益(hFE)50 @ 20mA,10V
电流_集电极(Ic)111最大222100mA
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装SOT-23
包装带卷 (TR)

供应商

深圳市鑫远鹏科技有限公司谌小姐15112667855
深圳市正信鑫科技有限公司小邹0755-22655674/15099917285
深圳市芯脉实业有限公司周19166203057
深圳市易信优科技有限公司陈佳隆0755-23914006/18318877587
深圳市宇明芯科技有限公司李小姐0755-83051566
深圳市三得电子有限公司销售部13509684848
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深圳市向鸿伟业电子有限公司李0755-82561519 0755-82567969 18928435545
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NE85633-T1B-R25-A相关型号

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